混床再生后产水电阻率偏低
一、分层环节故障（阴阳树脂混层，再生失效）
1. 反洗膨胀异常
阳树脂膨胀控制50%～70%、阴树脂70%～100%；流量偏小分层不完全，中间生成混脂层；流量过大细树脂流失，树脂界面紊乱，混杂树脂再生时酸碱互相中和，无法再生。
2. 树脂结块污染
铁污染、有机物污染、硅垢黏连造成树脂抱团，水流无法穿透结块，分层失效，夹层树脂再生盲区。
3. 树脂装填比例失衡
常规阳阴树脂体积比1:2，长期损耗未补树脂，层高失调，分层界面偏移至中排装置位置。
二、进再生液工序缺陷
1. 再生液参数偏离标准
盐酸3%～5%、液碱4%～5%，浓度偏低再生当量不足；浓度过高树脂降解；再生液流速3～5m/h，流速过快偏流短路、过慢沟流。
2. 中排装置故障
中排滤网堵塞、支管变形破损，布酸碱不均，局部树脂无药剂再生，形成未再生死区。
3. 再生药量不足
酸碱喷射器负压不足、计量泵/计量箱失准，实际加药量低于理论比耗（阳树脂1.2～1.5倍、阴1.3～1.8倍），树脂再生度不达标（阳＜90%、阴＜85%）。
三、置换、正洗、气混工序问题
1. 置换漂洗不足
置换流量不够、时间缩短，树脂孔隙残留游离酸碱，初期产水电离子偏高；正洗提前终止，残酸残碱持续析出拉低电阻率。
2. 气混不合格
气源压力0.10～0.15MPa不足/超压、混脂时间＜5min，阴阳树脂局部偏聚，单种树脂集中易提前漏离子。
3. 混脂后排水过速
液面低于树脂层带入空气，床内布水偏流，局部水流短路穿透。
四、树脂本体问题
1. 阴树脂硅中毒、有机物中毒，阳树脂铁铝中毒，官能团被占据无法再生，交换容量大幅下降。
2. 树脂老化破碎，交联度降解，出水微量离子泄漏。
五、前端进水与仪表问题
1. 前置RO产水劣化：RO膜破损、密封圈窜浓水，进水电导、硅、TOC超标，进水负荷过高。
2. 电阻率仪表故障：电极结垢、温度补偿失灵、电极极化，显示假性偏低。
