一.EDI进水为二级RO产水，核心指标：
1. 硬度（CaCO₃）：≤1.0mg/L，最佳＜0.1mg/L
2. 活性硅：≤1.0mg/L，最佳＜0.5mg/L
3. 余氯：＜0.05mg/L，最好无检出
4. 进水电导率：＜20μS/cm
5. 铁、锰＜0.01mg/L，浊度＜1NTU，pH：5～9
二、各项超标危害
1、进水硬度超标危害
浓水室钙镁离子浓缩，极易产生碳酸钙、氢氧化镁结垢；
堵塞EDI膜堆、树脂通道，膜堆压差升高；
离子迁移受阻产生极化，产水电阻率下降、水质变差；
模块电流异常，产水水质不达标，严重烧毁模块。
2、硅含量超标危害
易形成难清理硅胶、硅酸盐垢，附着离子膜与树脂表面；
堵塞水流通道，膜堆压差上升；
弱电解质去除能力下降，产水电阻率上不去；
硅垢极难清洗，直接造成EDI模块不可逆损坏。
3、余氯超标危害
余氯具有强氧化性，永久性氧化降解阴、阳离子交换树脂；
氧化损坏离子交换膜，膜片脆化、破损；
树脂交换容量不可逆衰减；
产水电阻率暴跌、水质恶化，模块直接报废无法修复。
